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氮氣烘箱在半導體制程如何選擇?

更新時間:2023-10-26      瀏覽次數:1359
  每個半導體產品的制造都需要數百個工藝,整個制造過程分為八個步驟:晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。
 
  然而在這數百個工藝中有數道需要烘烤工藝,而且每個烘烤工藝不是相同,所以需要的烘烤設備也有差異。
 
  精密氮氣烘箱可用于一以下工藝:
 
  RGBT烘烤,PCB板防氧化烘烤,光刻膠固化,硅片高溫退火,墨點烘烤,外延片烘烤,LED、治具烘烤等干燥或固化工藝;
 
  潔凈氮氣烘箱一般用于
 
  光刻膠預烘烤(軟烘),堅膜烘箱(硬烘)等工藝烘烤
 
  高溫無氧烘箱主要用途
 
  高溫無氧烘箱有真空無氧固化爐和熱風無塵無氧烘箱
 
  BCB/PI/CPI/LCP/PBO等固化工藝
 
  HMDS烘箱
 
  用于將基底由親水性改變為疏水性,從而增強基底的粘附性,
 
  適用于MEMS、濾波、放大、功率等器件,晶圓、玻璃、貴金屬,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO(氧化鋅)、GaO(氧化鎵)、金剛石等第三代半導體材料。
 
  氮氣烘箱技術性能
 
  無塵等級:Class 100; 選配
 
  溫度范圍:RT+15-200/300/400/500℃;
 
  升溫速率:8℃/min;
 
  降溫方式:自然降溫或輔助降溫
 
  內腔材質:SUS304/316L#鏡面不銹鋼;
 
  外箱材質:冷軋板噴塑或不銹鋼;
 
  真空度:可達10Pa(真空無氧烘箱、HMDS烘箱)
 
  氧濃度:可達10ppm(無氧烘箱)
 
  氮氣裝置:可調式浮子流量計+減壓閥
 
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